第4代小型DIPIPM应用指南

3.1 应用指南
本章介绍第4代小型DIPIPM的应用方法和接口电路设计注意事项。
3.1.1 系统连接
图3-1 第4代小型DIPIPM的应用系统框图
C1：具有良好频率特性和温度特性的电解电容。
注：其容值取决于应用系统中的PWM控制策略。
C2：0.22μ~2μF，具有良好频率特性、温度特性和直流偏置特性
的陶瓷电容。
C3：0.1μ~0.22μF的薄膜电容（做吸收电路用）。
D1：自举二极管，高速型，VRRM高于Vces(600V)，trr￡100ns。
D2：24V/1W 的齐纳二极管（做浪涌吸收用）。

3.1.2 接口电路（无光耦接口电路举例，采用1-Shunt 电阻）
图3-2给出了典型的应用接口电路原理图，其中控制信号直接从控制器(MCU或DSP)接入DIPIPM。

注意：
(1) 如果控制地线与功率地线重叠，则可能导致因功率线上的电压波动引起的模块误动作。
建议控制地和功率地仅在N1这一点相连（靠近旁路电阻的端子部位）。
(2) 为了避免浪涌损坏，平滑电容与P和N1端子之间的接线应尽可能短，通常推荐在P和N1端子间加一0.1-0.22μF的吸收电容C3。
(3) 短路保护滤波时间常数R1C4应选在1.5-2μs以内，短路中断时间可能随布线方式而改变，建议使用公差小、温度补偿型的R1
和C4。
(4) 所有电容都应尽可能靠近模块端子放置。（C1：推荐采用具有良好频率和温度特性的电解电容；C2：0.22-2μF，推荐采用具有
良好频率、温度和直流偏置特性的陶瓷电容。）
(5) 为了避免浪涌电压的损坏，推荐在每对控制电源端子近旁加入一个齐纳二极管D1(24V/1W)。
(6) 引向CIN滤波器的走线的分叉点D应靠近旁路电阻的端子。
(7) 对于旁路电阻，推荐采用精度在1%以内（包含温度特性）、低感贴片型(SMD)的功率电阻。
(8) 为了避免误动作或浪涌损坏，A、B和C处的走线应尽可能短。
(9) Fo输出是漏极开路型，该端子应通过一电阻上拉至控制电源（比如5V），以使IFo限制在1mA以内。（当上拉至5V电源时，需要
至少5kΩ的上拉电阻，通常推荐10kΩ）。
(10) Fo脉宽由CFO端子外接的电容来设定，CFO(F)=12.2x10-6xtFO（需要的脉宽）。
(11) 自举二极管D2：推荐采用高压（VRRM=600V或更高）、快速（trr=100ns或更短）型。

(12) 控制输入为高电平有效，在控制IC的输入电路中有2.5kΩ(最小值)的下拉电阻。为了防止误动作，每个输入线应尽可能短。当
接入RC滤波电路时，应确保输入信号电平满足开通、关断阈值电压的要求。由于内置了HVIC，使得不采用隔离电路而直接与
MCU相连成为可能。
(13) 如果高频噪声叠加在控制线上，则可能引起控制IC 误动作，进而导致模块错误运行。为避免此问题，控制电源的电压纹波应
控制在dV/dt ≤+/-1V/μs、Vripple≤2Vp-p。

3.1.3 接口电路（光耦隔离接口电路举例）

3.1.4 采用3-Shunt 电阻时的外部短路保护电路

3.1.5 控制信号输入端子和Fo端子的有关电路
(1) 控制输入端子的内部电路
DIPIPM 采用高有效的输入逻辑。
如图3-5所示，此类DIPIPM 的每个输入端子内部均接有一个2.5kΩ(最小值)的下拉电阻，因此，无需外
接下拉电阻。
另外，通过降低输入信号的开通和关断阈值电压（如表3-1所示），DIPIPM 可以无需光耦而直接与3V供
电的微处理器或DSP相连。