关于少数载流子寿命的理解

    对于前文所提到少数载流子，关于这一概念将在本端坐详细介绍。少数载流子寿命简称为少子寿命，其物理意义是：在一定温度下，处于热平衡的半导体中，电子和空穴数目是一定的，这些载流子叫平衡载流子，用电能、光能或其他方法，使半导体产生除原平衡载流子之外，还产生了多余的载流子（叫做过剩载流子或非平衡载流，这种现象叫注入。这些过剩载流子从注入到复合而消失经历的时间，用它的统计平均值叫少子寿命。直观的少子寿命定义是：稳定地向半导体注入过剩少子，从停止注入起，它的浓度因复合而减少到它的起始值的1/e=0. 368时所需时间。半导体中某些杂质、晶格缺陷、表面缺陷称为复合中心，意即能促进复合作用，这种复合中心越多，少子寿命就越短，为了提高开关速度，采用在硅中掺入少量金(Au)、铂<Pt>作为复合中心。以降低少子寿命.此外，采用快中子辐照、低能电子辐照（<5Mev)、高能电子辐照(12Mev），同样能降低少子寿命，减少开关时间。

    采用高能电子辐照，器件的漏电流比掺金的器件小得多，通态压降比采用低能电子辐照方法的还低。国际上，近年又提出质子辐照技术，成功地应用于5000V级GTO晶闸管制造工艺中。