几种典型的缓冲吸收电路分析三

几种典型的缓冲吸收电路分析三

        钳位式RCD缓冲吸收电路    这种缓冲吸收电路如图4-30d所示。图中RL、LL代表感性负载，VD为续流二极管，RS、Cs与VDS组成钳位式缓冲电路，与充放电式缓冲电路不同的是放电电阻RS不是与二极管VDs并联，而是接到电源的正端。无论器件处于导通状态还是关断状态，电容CS上的电压总是为电源电压。当器件由导通变为截止时。只有当器件上的电压上升到电源电压后，杂散电感LS中的储能开始Cs充电，使得电容电压高于电源电压.同时电容CS通过RS向电源放电，使得转移到电容CS上的能量大部分送回电源，另一部分消耗在电阻RS上。由于线路的杂散电感一般不大，所以即使在高频情况下，RS上消耗的功率也是不大的。所以这种缓冲电路成为IGBT器件最实用的缓冲吸收电路。

        无损缓冲吸收电路         RC和充放电式RCD缓冲电路中，用RS来限制器件开通时的放电电流，由于吸收电容的储能要全部消耗在吸收电阻上，所以吸收回路的功耗是很大的，这是一个缺点。无损或低损缓冲电路正是针对这一情况而提出的。其思路是一方面保留充放电式RCD吸收电路的优点，即良好的吸收效果，另一方面尽可能减小损耗，使吸收电容上的能量局部或全部地送回电源或负载。图4-30e是一神无源的无损缓冲吸收电路。它由电容CS、CO, 二极管VDS、VDO和VDC及电感LS组成。在器件VT截止期间，电容CS被充电至电源电压Ud，由于负载电流经VD续流，CO上的电压为零。当器件开通时，电容CS、VD0经LS和CO放电，将Cs中的储能转储到和Ls中。当Cs放电到电压为零时，由于二极管VDS的存在，LS中的储能继续转移到CO中，LS的放电回路为CO、VDS、VDO。当LS中的电流衰减至零时，电容Cs上的储能全部被转移到电容CO上.当器件再一次关断时，负载电压从认变为零的过程中，CO通过VDS 、RL和LL放电，使CO的储能送往负载，直到电压为零。若忽略浅路电阻和半导体器件的通态压降，这神缓冲吸收电路可以认为是无根据的、而实际上真正的无损耗是不可能的。严格讲是低损耗的无源缓冲电路。

图 4-31开通缓冲电路
个电阻与&并联，如_ 4-