钳位式RCD吸收电路用于限制的关断过电压分析二

钳位式RCD吸收电路用于限制的关断过电压分析二

      图4-36b, c分别为IGBT关断过程的电压、电流波形图和轨迹图。在门极关断信号的作用下, t1时刻IGBT集电极电压开始上升。在t1~t2期间，为UCE电压上升阶段，由于是电感性负载，使流过IGBT的电流基本保持不变，在UCE电压低于电源电压时，吸收二极管VDS和续流二极管VD都不通。当UCE电压上升到电源电压时，即t2时刻，IGBT的电流开始衰减并向VDS转移，负载电感中的电流和杂散电感中的电流都开始衰减，续流二极管开始导通,t3时IGBT的电流衰减至零，负载电流经续流二极管续流，由于吸收回路也有杂散电感,所以在t2~t3期间uCE出现小的尖峰电压,在t2~t3期间，LS中的储能充向吸收电容CS，使uCE电压抬高。t3时当LS中的储能全部转储到电容Cs中时，uCE电压达到最大值，之后当二极管VDS反向恢复时，由于反向恢复电流迅速消失，导致IGBT集电极电压出现凹坑，t5时杂散电感中电流为零，集电极电压又回到电源电压上。高于电源电压的电容电压则经电阻RS向电源放电，由杂散电感充向电容上的能量经RS大部分送回电源, —部分消耗在电阻RS上。

 

图4-36 钳位式RCD吸收电路用于IGBT斩波器
a)电路原理图b)IGBT关断过程的电压，电流波形图
c)关断过程的轨迹图