三菱CM450DX-24S1替代英飞凌FF450R12ME4

]资料

产品名称: 三菱CM450DX-24S1替代英飞凌FF450R12ME4
产品展商: 上海合美电子有限公司
产品文档: 三菱CM450DX-24S1可替代英飞凌FF450R12ME4 CM450DX-24S1为三菱6.1代NX系列450A/1200V IGBT模块，主要应用在100KW光伏逆变器，电机驱动，电源等领域，CM450DX-24S1性能特点如下：（1）采用第6代IGBT硅片技术（CSTBT），实现更低损耗；（2）硅片结温可高达17

三菱CM450DX-24S1替代英飞凌FF450R12ME4的详细介绍

三菱CM450DX-24S1可替代英飞凌FF450R12ME4

CM450DX-24S1为三菱6.1代NX系列450A/1200V IGBT模块，主要应用在100KW光伏逆变器，电机驱动，电源等领域，CM450DX-24S1性能特点如下：

（1）采用第6代IGBT硅片技术（CSTBT），实现更低损耗；

（2）硅片结温可高达175℃；

（3）硅片运行温度最高可达150℃；

（4）封装与三菱第6代CM450DX-24S及英飞凌FF450R12ME4兼容，且有性价比优势；

（5）内部集成NTC测温电阻；

（6）VisoI = 4000Vrms，其他对应的型号绝缘耐压为2500Vrms；

（7）低损耗，低EMI噪声，高可靠性，高运行结温；

（8）该系列不同容量模块(CM225DX-24S1，CM300DX-24S1，CM600DX-24S1)封装相同。

三菱CM450DX-24S1-1

CM450DX-24S1，CM450DX-24S及FF450R12ME4封装形式如下图：

CM450DX-24S1，CM450DX-24S以及FF450R12ME4 450/1200V产品性能对比如下，分别对静态特性及开关特性进行详细说明，由下面的分析可以得出CM450DX-24S1的整体性能与FF450R12ME4趋势接近，参数指标更有优势。

1.静态特性对比

	CM450DX-24S1	CM450DX-24S	FF450R12ME4	备注
Ic	450A (Tc=107°C)	450A (Tc=119°C)	450A (Tc=100°C)	集电极直流电流能力 CM450DX-24S最强
Ptot	2775W	3405W	2250W	最大允许功耗： Ptot(Tc)=(Tvj-Tc)/Rthjc
VISOL	4000V	2500V	2500V	CM450DX-24S1绝缘耐压最高
VCEsat	1.7V	1.7V	1.75V	FF450R12ME4饱和压降在相同条件下最高，通态损耗大

450A/1200V产品静态特性对比见下图：

6.1th：CM450DX-24S1，6th： CM450DX-24S，竞争对手A： FF450R12ME4

测试条件: Vge=+15V, Tj=125℃

三菱CM450DX-24S1-2

由上图可看出在某一集电极工作电流下，6.1代的CM450DX-24S1的饱和压降与CM450DX-24S一致，比FF450R12ME4略低，从而通态损耗更低。CM450DX-24S1的二极管采用更快恢复特性二极管，反向恢复损耗低，通态压降稍高。

2.开关特性对比

	CM450DX-24S1	CM450DX-24S	FF450R12ME4	备注
Cres/ Cies	0.75nF_(MAX)/ 45nF_(MAX)	0.75nF_(MAX)/ 45nF_(MAX)	1.55nF_(TYP)/ 28nF_(TYP)	FF450R12ME4的密勒电容及与输入电容的比值最大，容易形成集电极dv/dt反馈造成寄生导通，Cres/ Cies应该越小越好
QG	953nC	1050nC	3.3uC	FF450R12ME4需要的门极驱动电荷最多，驱动电流及功耗最高
Eon	35.8mJ	54.9mJ	28.5mJ	CM450DX-24S开通损耗最高
Eoff	52.4mJ	48.0mJ	61.5mJ	FF450R12ME4关断损耗最高
Err	27.9mJ	32.4mJ	55mJ	FF450R12ME4二极管反向恢复损耗最高
Rth(j-c) IGBT	54K/KW	44K/KW	66K/KW	FF450R12ME4 IGBT结到壳热阻最大，结壳温差大，不利于散热
Rth(j-c) Diode	86K/KW	78K/KW	100K/KW	FF450R12ME4 二极管结到壳热阻最大，结壳温差大，不利于散热