大功率晶体管驱动电路实例

大功率晶体管驱动电路实例 

    
        图4-25为一个采用单电源的驱动电路，控制电路与驱动电路之间用光耦隔离，当输入信号为高电平时，光耦三极管VT1导通，使VT2裁止，导致VT3导通、VT4截止，使功率晶体管VT正向导通，由电阻R4控制基极电流的大小。当输入信号为低电平时.VT1截止，使VT2导通，VT4导通，VT3截止，使VT产生一个反向基极电流，使其快速截止。二极管VD2、VD3和电容C1提一个反偏电源，二极管VD1的作用是当VT4导通时保证VT3可靠截止，若要反偏电压高一点，可在VD2、VD3之间再串一只二极管，或改用稳压二极管。

       图4-26为一双电源供电的驱动电路。输入信号使光耦VP导通时，三极管VT2导通，VT2导通使VT3、VT4. VT7,VT8都导通，同时，VT2的导通使VT5、VT6 都截止。正向驱动电流从+ E流经R13、VT7、R14、VT8，送入功率晶体管的基极。晶体管VT7,电阻R13和二极管VD3、VD4、VD5组成恒流源电路。正向驱动电源IB1≈1.4V/R13, 1.4V为两只二极管的正向导通压降。在没有输入信号，光耦不导通时，VT2截止。 VT2的截止使VT3截止，且使VT5、VT6导通。由于VT5、VT6的饱和导通，将VT4的基极电位拉到-E+1V上(设VT5的UCE和VT6的UBE之和为1V)。大功率晶体管的反向基极电流流经并联的LB和及R12及VT6，使VT1迅速截止。在开始反抽的瞬间，同时对VT4,VT8的基极储存电荷也进行清除。在VT1加反压期间，VT4和VT8也处于反偏状态。在VT2截止期间，VT2集电极电平为+ E,又由于VT5、VT6在饱和导通状态，VT4、VT8和VT1在反偏状态，所以C2上充有2E—1.4V的电压，VD1、VD2都处于截止状态。 VT2由截止转为导通时，C2上的电压给VT5、VT6一个反偏电流，使VT5、VT6迅速截止，之后VD1导通，将VT5基极电平箝位在IV上，保证VT5、 VT6可靠关断。

大功率晶体管驱动电路实例-图片1
 
图4-26大功率晶体管驱动电路实例二