IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求一

IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求一

      IGBT和功率MOSFET都是压控器件，门极输入阻抗高，所需驱动功率小，较GTO和大功率晶体管的门极驱动容易，IGBT和功率MOSFET器件对门极驱动电路的要求如下：

(1)通常IGBT和功率MOSFET的门极电压最大定额为±20V，若超过此值，门极就会被击穿，导致器件损坏。为防止门极过压，可采用稳压管作保护.

(2)这两种器件都存在2.5〜5V的门极阈值电压，驱动信号低于此阈值电压时，器件是不导通的。要使器件导通，驱动信号必须大于其阈值电压。当要求功率器件工作于开关状态时，驱动信号必须保证器件工作于饱和状态，否则也会造成器件损坏.正向门极驱动电压幅值的选取应考虑在额定运行与一定过载情况下器件不退出饱和为前提,正向门极电压愈高、通态压降愈小，通态损耗愈小，对无短路保护的驱动电路，驱动电压高一些有好处，可使器件在各种过流场合仍工作于饱和状态。通常，正向门极电压取15V。在有短路保护的场合，不希望器件工作于过饱和状态，因为驱动电压小一些，可减小短路电流，对短路保护有好处。有短路保护的场合，门极电压取13V较合适。
另外，为了减小开通损耗，门极驱动信号的前沿要陡。IGBT和功率MOSFET的门极等效为一电容负载，所以要求驱动信号源的内阻要小。