大功率晶体管RCD吸收电路分析二

大功率晶体管RCD吸收电路分析二

        采用RCD吸收电路后，可减小关断过程中加在晶体管上的电压上升率dμ/dt和过电压。从而允许使用具有较小开关安全工作区的器件，还能大幅度地减小器件的开关损耗其关断特性和关断轨迹分别如图4-33d、e所示。晶体管关断过程中，由于吸收电路的参与，换流情况较无吸收电路时有很大的不同，下面分析带RCD吸收电路时晶体管的关断过程。
 

图4-34   大功率晶体管斩波器电路不考虑杂散电感时
a)器件的开关特性b)器件的开关轨迹特性

      在大功本晶体管关断之前，吸收电容Cs巳放电至零。晶体管开始关断时，由于感性负载电流基本保持不变，所以流过晶体管和吸收电容CS的电流之和为负载电流不变。图4-35中t1时晶体管与电容之叫开始换流，即晶体管中的电流转移到CS中。t2时，转移完毕，晶体管中电流为零，负载电流全部流经电容。t2~t3期间，负载电流对C充电，集电极电压逐渐升高，负载电压在减小。t3时，续流二极管VD开始导通，负载电流又从电容CS中转移到VD中，t1时关断过程结束。

 
图4-35有RCD吸收电路时，大功率晶体管
斩波器关断过程中的电流转移波形图