采用RCD吸收电路后所带来的好处

采用RCD吸收电路后所带来的好处

      (1)由于关断过程中，负载电流经VDS向CS充电，这样减小了晶体管集射极之间的电压上升率。

      (2)由于关断过程中，主电路杂散电感的能量通过VDs向吸收电容Cs充电，所以大大减小了关断时出现在晶体管集射极之间的过电压。

      (3)由于关断过程中。当晶体管电流转移到吸收电容中时，作用于晶体管集射极的电压还很低，这样就减小了晶体管的关断损耗。

      (4)由于关断过程避开了同时出现高电压和大电流的时刻，提高了管子的工作安全系数。

       应注意的是，吸收电路二极管VDS应选用快速软恢复的二极管。若吸收二极管具有快速关断特性，由于主电路的杂散电感，会导致在吸收电容C充电完毕时晶体管集射间产生很大的电压变化率，大的电压变化率会产生集基极的电容电流，一般情况下这个电流会被基射极上并联的电阻和反偏压分流掉。如果这个电压变化率很高，电容电流不可能全部被分流掉，部分通过基射极并被放大，这将引起晶体管非正常导通，导致晶体管损坏。

      当晶体管导通时，吸收电容Cs经电阻RS放电，为保证晶体管开始关断时UCE电压从零往上升，RS、CS的参数选择应满足在晶体管导通期间，电容上电荷放完。电容C越大，吸收效果越好，但同时意味着每一周期消耗在电阻RS上的能量越大，在高频情况下，这种吸收电路消耗的电能非常大，所以这种充放电式的RCD吸收电路适用于频率不是很高的GTO和大功
率晶体管.对于频率更高的IGBT和功率MOSFET，通常不选用这种吸收电路。

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