A系列IGBT模块

性能特点

1. 采用最新的CSTBT 硅片技术:
• 低饱和压降Vce(sat), 低开关损耗Esw(on), Esw(off)
• 高短路耐受能力
• 减小栅极电容:栅极驱动功率近似于平面型IGBTs
2. 低阻抗封装(A系列1单元除外)
3. 通过采用氮化铝AlN绝缘层实现优良的热阻特性
4. 通过调整底板与氮化铝绝缘层之间的焊接层厚度来改善温度循环能力Δ Tc (焊接
层疲劳)
5. 采用新的导线焊接工艺大大提高功率循环能力ΔTj (导线连接疲劳)

应用领域

适合中、低端变频器产品设计

封装尺寸

94mm × 48mm	108mm × 62mm	110mm × 80mm	140mm × 130mm

IGBT Modules (A series)

电路拓扑	VCES(V)	Ic(A)
		75	100	150	200	300	400	600
2单元	1200		CM100DY -24A  (45KB)	CM150DY -24A  (45KB)	CM200DY -24A  (45KB)	CM300DY -24A  (45KB)	CM400DY -24A  (48KB)	CM600DY -24A  (49KB)
	1700	CM75DY -34A   (110KB)	CM100DY -34A   (101KB)	CM150DY -34A   (121KB)	CM200DY -34A   (102KB)	CM300DY -34A   (100KB)	CM400DY -34A   (126KB)
1单元	1200V							CM600HA -24A   (117KB)
							CM400HA -24A   (118KB)	CM600HB -24A